بكين-سانا
حقق علماء صينيون تقدماً جديداً في مجال تصنيع أشباه الموصلات، من خلال تطوير تقنية متقدمة لإنتاج مواد ثنائية الأبعاد على مستوى الرقاقة بسرعات تفوق الطرق التقليدية بنحو ألف مرة، ما يمهد لتطوير جيل جديد من الإلكترونيات عالية الكفاءة ومنخفضة استهلاك الطاقة.
وذكرت صحيفة “ساوث تشاينا مورنينغ بوست” اليوم الإثنين، أن الدراسة قادها الباحث تشو منغجيان من الجامعة الوطنية لتكنولوجيا الدفاع في الصين، وتركزت على تجاوز التحديات المرتبطة بـ “قانون مور”، في ظل استمرار تصغير الترانزستورات إلى مقاييس نانوية متناهية، الأمر الذي يجعل المواد ثنائية الأبعاد خياراً واعداً لمواصلة التقدم في القدرات الحاسوبية.
وأظهرت النتائج نجاح الفريق البحثي في معالجة مشكلة نقص المواد من “النوع الموجب”، التي كانت تعيق تطوير ترانزستورات متكاملة تعمل بكفاءة عند أحجام أقل من 5 نانومترات، ما يمثل خطوة مهمة في تصنيع الرقائق الدقيقة.
ومن شأن هذا التطور أن يسهم في تسريع اعتماد تقنيات المعالجات المتقدمة عالمياً، في ظل تزايد الطلب على الحوسبة عالية الأداء المرتبطة بتطبيقات الذكاء الاصطناعي ونماذج اللغة الكبيرة، ما قد ينعكس على مستقبل صناعة الإلكترونيات.
